Infineon Technologies ISZ0803NLSATMA1
- ISZ0803NLSATMA1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- ISZ0803NLSATMA1 Datenblatt
- 8-PowerTDFN
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 23511
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer ISZ0803NLSATMA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung TRENCH >=100V PG-TSDSON-8 |
| Paket -Reel® |
| Serie OptiMOS™ 5 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerTDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-TSDSON-8-26 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 43W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.7A (Ta), 37A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.9mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 18µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1000 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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