IXTA2N80P

IXYS IXTA2N80P

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  • IXTA2N80P
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 2A TO263
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXTA2N80P Datenblatt
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2433
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
IXTA2N80P
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Paket
Tube
Serie
PolarHV™
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263AA
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
5.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
440 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

IXTA2N80P Garantien

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Founded in 1983, IXYS Corporation is a leading global power semiconductor manufacturer headquartered in Milpitas, California and Leiden, Netherlands. IXYS specializes in the development, manufacturing, and sales of high-performance power semiconductors, advanced mixed signal...
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