JAN1N6630US

Microchip Technology JAN1N6630US

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  • JAN1N6630US
  • Microchip Technology
  • DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • JAN1N6630US Datenblatt
  • SQ-MELF, E
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 22082
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
JAN1N6630US
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
Paket
Bulk
Serie
Military, MIL-PRF-19500/590
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SQ-MELF, E
Gerätepaket des Lieferanten
D-5B
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
1.4A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.4 V @ 1.4 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
2 µA @ 900 V
Kapazität@Vr,F
-
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
900 V
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-65°C ~ 150°C

JAN1N6630US Garantien

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