JANTXV2N5012S

Microsemi Corporation JANTXV2N5012S

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  • JANTXV2N5012S
  • Microsemi Corporation
  • NPN TRANSISTOR
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • JANTXV2N5012S Datenblatt
  • TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3649
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
JANTXV2N5012S
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
NPN TRANSISTOR
Paket
Bulk
Serie
Military, MIL-PRF-19500/727
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)
Power-Max
1 W
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
200 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
700 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
10nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Frequenzübergang
-

JANTXV2N5012S Garantien

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