MBR12060CT

GeneSiC Semiconductor MBR12060CT

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  • MBR12060CT
  • GeneSiC Semiconductor
  • DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
  • MBR12060CT Datenblatt
  • Twin Tower
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3496
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Part Number
MBR12060CT
Category
Diodes - Rectifiers - Arrays
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Description
DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
Package
Bulk
Series
-
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Twin Tower
Supplier Device Package
Twin Tower
Diode Type
Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
3 mA @ 20 V
Diode Configuration
1 Pair Common Anode
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
60 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
120A (DC)
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C
Package_case
Twin Tower

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