MBR200150CTR

GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR

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  • MBR200150CTR
  • GeneSiC Semiconductor
  • DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
  • MBR200150CTR Datenblatt
  • Twin Tower
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2733
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer
MBR200150CTR
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Arrays
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Paket
Bulk
Serie
-
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
Twin Tower
Gerätepaket des Lieferanten
Twin Tower
Diodentyp
Schottky
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
880 mV @ 100 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
3 mA @ 150 V
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Anode
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
150 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
100A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 150°C

MBR200150CTR Garantien

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