MBR300100CT

GeneSiC Semiconductor MBR300100CT

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  • MBR300100CT
  • GeneSiC Semiconductor
  • DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
  • MBR300100CT Datenblatt
  • Twin Tower
  • Box
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 17869
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Teilenummer
MBR300100CT
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Arrays
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Paket
Box
Serie
-
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
Twin Tower
Gerätepaket des Lieferanten
Twin Tower
Diodentyp
Schottky
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
840 mV @ 150 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
8 mA @ 20 V
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Cathode
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
100 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
300A (DC)
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-

MBR300100CT Garantien

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