GeneSiC Semiconductor MBR40035CT
- MBR40035CT
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MBR40035CT Datenblatt
- Twin Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 25260
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Teilenummer MBR40035CT |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Twin Tower |
Gerätepaket des Lieferanten Twin Tower |
Diodentyp Schottky |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700 mV @ 200 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 1 mA @ 35 V |
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 400A (DC) |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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Bemerkungen
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