GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR
- MBR600200CTR
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MBR600200CTR Datenblatt
- Twin Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4218
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Teilenummer MBR600200CTR |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Twin Tower |
Gerätepaket des Lieferanten Twin Tower |
Diodentyp Schottky |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920 mV @ 300 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 3 mA @ 200 V |
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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Bemerkungen
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