MBR60030CTRL

GeneSiC Semiconductor MBR60030CTRL

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • MBR60030CTRL
  • GeneSiC Semiconductor
  • DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
  • MBR60030CTRL Datenblatt
  • Twin Tower
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2645
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MBR60030CTRL
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Arrays
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
Paket
Bulk
Serie
-
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
Twin Tower
Gerätepaket des Lieferanten
Twin Tower
Diodentyp
Schottky
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
580 mV @ 300 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
3 mA @ 30 V
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Anode
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
30 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
300A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 150°C

MBR60030CTRL Garantien

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