GeneSiC Semiconductor MBR60045CTRL
- MBR60045CTRL
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MBR60045CTRL Datenblatt
- Twin Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 2501
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| Teilenummer MBR60045CTRL |
| Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Hersteller GeneSiC Semiconductor |
| Beschreibung DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Montageart Chassis Mount |
| Paket/Koffer Twin Tower |
| Gerätepaket des Lieferanten Twin Tower |
| Diodentyp Schottky |
| Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600 mV @ 300 A |
| Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5 mA @ 45 V |
| Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode |
| Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45 V |
| Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A |
| Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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Bemerkungen
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Founded in 2004, GeneSic Semiconductor Inc. is a manufacturing company specializing in silicon carbide (SiC) semiconductor components, founded by Dr. Ranbir Singh in the United States. GeneSic Semiconductor, as one of the pioneers and...
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