GeneSiC Semiconductor MBRT20030R
- MBRT20030R
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MBRT20030R Datenblatt
- Three Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3835
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Teilenummer MBRT20030R |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Three Tower |
Gerätepaket des Lieferanten Three Tower |
Diodentyp Schottky |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 100 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 1 mA @ 20 V |
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A (DC) |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle - |
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Bemerkungen
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