ON Semiconductor MJ11032G
- MJ11032G
- ON Semiconductor
- TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- MJ11032G Datenblatt
- TO-204AE
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26696
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer MJ11032G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 |
Paket Tray |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-204AE |
Gerätepaket des Lieferanten TO-204 (TO-3) |
Power-Max 300 W |
Transistortyp NPN - Darlington |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 120 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 2mA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V |
Frequenzübergang - |
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Bemerkungen
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