MJD253-1G

ON Semiconductor MJD253-1G

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  • MJD253-1G
  • ON Semiconductor
  • TRANS PNP 100V 4A IPAK
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • MJD253-1G Datenblatt
  • TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3372
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MJD253-1G
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 100V 4A IPAK
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten
I-PAK
Power-Max
1.4 W
Transistortyp
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
4 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Frequenzübergang
40MHz

MJD253-1G Garantien

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