ON Semiconductor MJE5731G
- MJE5731G
- ON Semiconductor
- TRANS PNP 350V 1A TO220AB
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- MJE5731G Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4727
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer MJE5731G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS PNP 350V 1A TO220AB |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220 |
Power-Max 40 W |
Transistortyp PNP |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 350 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 1mA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V |
Frequenzübergang 10MHz |
MJE5731G Garantien
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Bemerkungen
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