ON Semiconductor MJE800G
- MJE800G
- ON Semiconductor
- TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- MJE800G Datenblatt
- TO-225AA, TO-126-3
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4573
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer MJE800G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-225AA, TO-126-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-126 |
Power-Max 40 W |
Transistortyp NPN - Darlington |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 60 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 100µA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V |
Frequenzübergang - |
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Bemerkungen
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