Sanken MN611S
- MN611S
 - Sanken
 - TRANSISTOR INJECTOR
 - Transistors - Bipolar (BJT) - Single
 - MN611S Datenblatt
 - TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
 - Bulk
 -  
Lead free / RoHS Compliant - 1011
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| Teilenummer MN611S  | 
                                                          
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single  | 
                                                          
| Hersteller Sanken  | 
                                                          
| Beschreibung TRANSISTOR INJECTOR  | 
                                                          
| Paket Bulk  | 
                                                          
| Serie -  | 
                                                          
| Betriebstemperatur 150°C (TJ)  | 
                                                          
| Montageart Surface Mount  | 
                                                          
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  | 
                                                          
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220S  | 
                                                          
| Power-Max 1.2 W  | 
                                                          
| Transistortyp NPN  | 
                                                          
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6 A  | 
                                                          
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 115 V  | 
                                                          
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 120mV @ 12mA, 1.2A  | 
                                                          
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO)  | 
                                                          
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 400 @ 1A, 1V  | 
                                                          
| Frequenzübergang -  | 
                                                          
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Sanken
                      
Founded in 1946, Sanken Electric Co., Ltd. is a Japanese company focused on semiconductor product research and development. The company is headquartered in Japan and has over 60 years of history and research and development...
                                              
                
                  EM1
                  
              DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
                
                  EM1Z
                  
              DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
                
                  EU2Z
                  
              DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
                
                  EG1A
                  
              DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
                
                  EH1
                  
              DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
                
                  EU1
                  
              DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
                
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              DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
                
                  EM1A
                  
              DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL




                          
                          
                          
                          
                          
                          
                          
                          
                          
                          
                          
                          
                          