MRF5812GR1

Microsemi Corporation MRF5812GR1

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • MRF5812GR1
  • Microsemi Corporation
  • RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • MRF5812GR1 Datenblatt
  • 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 798
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MRF5812GR1
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
Gewinnen
13dB ~ 15.5dB
Power-Max
1.25W
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
200mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
15V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 50mA, 5V
Frequenzübergang
5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
2dB ~ 3dB @ 500MHz

MRF5812GR1 Garantien

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