MS1003

Microsemi Corporation MS1003

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  • MS1003
  • Microsemi Corporation
  • RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • MS1003 Datenblatt
  • M111
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 29747
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MS1003
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
200°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
M111
Gerätepaket des Lieferanten
M111
Gewinnen
6dB
Power-Max
270W
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
20A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
18V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10 @ 5A, 5V
Frequenzübergang
136MHz ~ 175MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
-

MS1003 Garantien

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