MS1006

Microsemi Corporation MS1006

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • MS1006
  • Microsemi Corporation
  • RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • MS1006 Datenblatt
  • M135
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 25195
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MS1006
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
200°C
Montageart
Stud Mount
Paket/Koffer
M135
Gerätepaket des Lieferanten
M135
Gewinnen
14dB
Power-Max
127W
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
3.25A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
55V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
19 @ 1.4A, 6V
Frequenzübergang
30MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
-

MS1006 Garantien

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