GeneSiC Semiconductor MSRT100100(A)D
- MSRT100100(A)D
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MSRT100100(A)D Datenblatt
- Three Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3181
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Teilenummer MSRT100100(A)D |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Three Tower |
Gerätepaket des Lieferanten Three Tower |
Diodentyp Standard |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 100 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 10 µA @ 1000 V |
Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A |
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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Bemerkungen
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