Micron Technology Inc. MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
- MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
- Micron Technology Inc.
- IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
- Memory
- MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Datenblatt
- -
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4189
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Teilenummer MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B |
Kategorie Memory |
Hersteller Micron Technology Inc. |
Beschreibung IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ |
Paket Tray |
Serie - |
Spannung - Versorgung 2.5V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) |
Montageart - |
Paket/Koffer - |
Gerätepaket des Lieferanten - |
Speichergröße 4Tb (512G x 8) |
Technologie FLASH - NAND |
Speichertyp Non-Volatile |
Taktfrequenz 333 MHz |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format FLASH |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
Speicherschnittstelle Parallel |
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Bemerkungen
Micron Technology Inc.

Founded in 1978, Micron Technology Inc. is one of the world's largest manufacturers of semiconductor storage and imaging products. The company was originally located in the basement of a dental clinic in Boise, Idaho,...

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