Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1
- MT41K512M8V00HWC1
- Micron Technology Inc.
- IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
- General Memory
- MT41K512M8V00HWC1 Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1330
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Teilenummer MT41K512M8V00HWC1 |
Kategorie General Memory |
Hersteller Micron Technology Inc. |
Beschreibung IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE |
Paket Bulk |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) |
Montageart - |
Paket/Koffer - |
Gerätepaket des Lieferanten - |
Speichergröße 4Gb (512M x 8) |
Technologie SDRAM - DDR3L |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz - |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format DRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
Speicherschnittstelle Parallel |
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Bemerkungen
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