MT41K512M8V00HWC1

Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1

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  • MT41K512M8V00HWC1
  • Micron Technology Inc.
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
  • General Memory
  • MT41K512M8V00HWC1 Datenblatt
  • -
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1330
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MT41K512M8V00HWC1
Kategorie
General Memory
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
Paket
Bulk
Serie
-
Spannung - Versorgung
1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur
0°C ~ 95°C (TC)
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Speichergröße
4Gb (512M x 8)
Technologie
SDRAM - DDR3L
Speichertyp
Volatile
Taktfrequenz
-
Zugriffszeit
-
Gedächtnis-Format
DRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
-
Speicherschnittstelle
Parallel

MT41K512M8V00HWC1 Garantien

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