MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

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  • MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
  • Micron Technology Inc.
  • IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA
  • General Memory
  • MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Datenblatt
  • -
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2264
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  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Kategorie
General Memory
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Spannung - Versorgung
1.1V
Betriebstemperatur
-30°C ~ 85°C (TC)
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Speichergröße
32Gb (512M x 64)
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichertyp
Volatile
Taktfrequenz
1.866 GHz
Zugriffszeit
-
Gedächtnis-Format
DRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
-
Speicherschnittstelle
-

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Garantien

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