Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
- MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
- Micron Technology Inc.
- IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- Memory
- MT53E128M32D2DS-046 AAT:A Datenblatt
- 200-WFBGA
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2049
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Teilenummer MT53E128M32D2DS-046 AAT:A |
Kategorie Memory |
Hersteller Micron Technology Inc. |
Beschreibung IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
Paket Tray |
Serie Automotive, AEC-Q100 |
Spannung - Versorgung 1.1V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TC) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 200-WFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 200-WFBGA (10x14.5) |
Speichergröße 4Gb (128M x 32) |
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz 2.133 GHz |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format DRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
Speicherschnittstelle - |
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