Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT:A
- MT53E128M32D2DS-053 WT:A
- Micron Technology Inc.
- IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
- Memory
- MT53E128M32D2DS-053 WT:A Datenblatt
- 200-WFBGA
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 29515
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer MT53E128M32D2DS-053 WT:A |
Kategorie Memory |
Hersteller Micron Technology Inc. |
Beschreibung IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.1V |
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 200-WFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 200-WFBGA (10x14.5) |
Speichergröße 4Gb (128M x 32) |
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz 1.866 GHz |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format DRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
Speicherschnittstelle - |
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