MT53E128M32D2DS-053 WT:A

Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT:A

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  • MT53E128M32D2DS-053 WT:A
  • Micron Technology Inc.
  • IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • Memory
  • MT53E128M32D2DS-053 WT:A Datenblatt
  • 200-WFBGA
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 29515
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MT53E128M32D2DS-053 WT:A
Kategorie
Memory
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Spannung - Versorgung
1.1V
Betriebstemperatur
-30°C ~ 85°C (TC)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten
200-WFBGA (10x14.5)
Speichergröße
4Gb (128M x 32)
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichertyp
Volatile
Taktfrequenz
1.866 GHz
Zugriffszeit
-
Gedächtnis-Format
DRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
-
Speicherschnittstelle
-

MT53E128M32D2DS-053 WT:A Garantien

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