MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR

Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR

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  • MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
  • Micron Technology Inc.
  • IC DRAM LPDDR4 WFBGA
  • Memory
  • MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR Datenblatt
  • -
  • Bulk
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  • 11719
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  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
Kategorie
Memory
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM LPDDR4 WFBGA
Paket
Bulk
Serie
Automotive, AEC-Q100
Spannung - Versorgung
1.1V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 105°C (TC)
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Speichergröße
4Gb (256M x 16)
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichertyp
Volatile
Taktfrequenz
2.133 GHz
Zugriffszeit
-
Gedächtnis-Format
DRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
-
Speicherschnittstelle
-

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