Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR
- MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR
- Micron Technology Inc.
- IC DRAM LPDDR4 WFBGA
- Memory
- MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR Datenblatt
- -
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1818
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Teilenummer MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR |
Kategorie Memory |
Hersteller Micron Technology Inc. |
Beschreibung IC DRAM LPDDR4 WFBGA |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.1V |
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) |
Montageart - |
Paket/Koffer - |
Gerätepaket des Lieferanten - |
Speichergröße 4Gb (256M x 16) |
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz 2.133 GHz |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format DRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
Speicherschnittstelle - |
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Bemerkungen
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