ON Semiconductor MUN2211JT1G
- MUN2211JT1G
- ON Semiconductor
- TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- MUN2211JT1G Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1436
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer MUN2211JT1G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gerätepaket des Lieferanten SC-59 |
Power-Max 230 mW |
Transistortyp NPN - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V |
Frequenzübergang - |
Widerstandsbasis (R1) 10 kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) 10 kOhms |
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Bemerkungen
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