GeneSiC Semiconductor MURT10010R
- MURT10010R
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MURT10010R Datenblatt
- Three Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2811
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Teilenummer MURT10010R |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Three Tower |
Gerätepaket des Lieferanten Three Tower |
Diodentyp Standard |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 50 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 25 µA @ 50 V |
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A (DC) |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 75 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle - |
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Bemerkungen
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