GeneSiC Semiconductor MURT10060R
- MURT10060R
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MURT10060R Datenblatt
- Three Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 29089
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Teilenummer MURT10060R |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Three Tower |
Gerätepaket des Lieferanten Three Tower |
Diodentyp Standard, Reverse Polarity |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 100 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 25 µA @ 50 V |
Diodenkonfiguration - |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A (DC) |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 75 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
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Bemerkungen
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