GeneSiC Semiconductor MURTA600120
- MURTA600120
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MURTA600120 Datenblatt
- Three Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2936
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Teilenummer MURTA600120 |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Three Tower |
Gerätepaket des Lieferanten Three Tower |
Diodentyp Standard |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.6 V @ 300 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 25 µA @ 1200 V |
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A |
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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Bemerkungen
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