MURTA600120

GeneSiC Semiconductor MURTA600120

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • MURTA600120
  • GeneSiC Semiconductor
  • DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
  • MURTA600120 Datenblatt
  • Three Tower
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2936
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MURTA600120
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Arrays
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Paket
Bulk
Serie
-
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
Three Tower
Gerätepaket des Lieferanten
Three Tower
Diodentyp
Standard
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
2.6 V @ 300 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
25 µA @ 1200 V
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Cathode
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1200 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
300A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 150°C

MURTA600120 Garantien

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