ON Semiconductor NDT02N60ZT3G
- NDT02N60ZT3G
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NDT02N60ZT3G Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1597
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NDT02N60ZT3G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-261-4, TO-261AA |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-223 (TO-261) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 300mA (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 50µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 170 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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