Renesas NE58219-T1-A
- NE58219-T1-A
- Renesas
- NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- NE58219-T1-A Datenblatt
- SC-75, SOT-416
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 6378
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NE58219-T1-A |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Hersteller Renesas |
Beschreibung NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur 125°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SC-75, SOT-416 |
Gerätepaket des Lieferanten SC-75 (USM) |
Gewinnen 5dB |
Power-Max 100mW |
Transistortyp NPN |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 12V |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V |
Frequenzübergang 5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) - |
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