CEL NE58219-T1-A
- NE58219-T1-A
- CEL
- TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- NE58219-T1-A Datenblatt
- SC-75, SOT-416
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3309
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer NE58219-T1-A |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Hersteller CEL |
| Beschreibung TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SC-75, SOT-416 |
| Gerätepaket des Lieferanten 3-SuperMiniMold (19) |
| Gewinnen - |
| Power-Max 100mW |
| Transistortyp NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 12V |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V |
| Frequenzübergang 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) - |
NE58219-T1-A Garantien



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Bemerkungen
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