ON Semiconductor NGTD13T120F2WP
- NGTD13T120F2WP
- ON Semiconductor
- IGBT TRENCH FIELD STOP
- Transistors - IGBTs - Single
- NGTD13T120F2WP Datenblatt
- Die
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 1681
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer NGTD13T120F2WP |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung IGBT TRENCH FIELD STOP |
| Paket Tray |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Wafer |
| Power-Max - |
| Eingabetyp Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) - |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
| IGBT-Typ Trench Field Stop |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A |
| Gate-Gebühr - |
| Td (ein/aus) bei 25 °C - |
| Testbedingung - |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) 60 A |
| Energie wechseln - |
NGTD13T120F2WP Garantien



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Bemerkungen
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