ON Semiconductor NJVBUB323ZT4G
- NJVBUB323ZT4G
- ON Semiconductor
- TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- NJVBUB323ZT4G Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4068
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NJVBUB323ZT4G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D²PAK |
Power-Max 150 W |
Transistortyp NPN - Darlington |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 350 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 1.7V @ 250mA, 10A |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 100µA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 500 @ 5A, 4.6V |
Frequenzübergang 2MHz |
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Bemerkungen
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