NJVNJD35N04T4G

ON Semiconductor NJVNJD35N04T4G

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  • NJVNJD35N04T4G
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • NJVNJD35N04T4G Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1296
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NJVNJD35N04T4G
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Power-Max
45 W
Transistortyp
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
4 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 20mA, 2A
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
50µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Frequenzübergang
90MHz

NJVNJD35N04T4G Garantien

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