Renesas Electronics America Inc NP50P06SDG-E1-AY
- NP50P06SDG-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP50P06SDG-E1-AY Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4402
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NP50P06SDG-E1-AY |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 50A TO-252 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252 (MP-3ZK) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta), 84W (Tc) |
FET-Typ P-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 25A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5000 pF @ 10 V |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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