Renesas Electronics America Inc NP60N055NUK-S18-AY
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- NP60N055NUK-S18-AY
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 55V 60A TO262
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP60N055NUK-S18-AY Datenblatt
- TO-262-3 Full Pack, I²Pak
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3205
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| Teilenummer NP60N055NUK-S18-AY |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Renesas Electronics America Inc |
| Beschreibung MOSFET N-CH 55V 60A TO262 |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-262 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 105W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3750 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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