NEC Corporation NP80N055MDG-S18-AY
- NP80N055MDG-S18-AY
- NEC Corporation
- MOSFET N-CH 55V 80A TO220
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP80N055MDG-S18-AY Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 10190
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NP80N055MDG-S18-AY |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller NEC Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 80A TO220 |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 40A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6.9 pF @ 25 V |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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