NEC Corporation NP82N04NDG-S18-AY
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- NP82N04NDG-S18-AY
- NEC Corporation
- MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP82N04NDG-S18-AY Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4905
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| Teilenummer NP82N04NDG-S18-AY |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NEC Corporation |
| Beschreibung MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK |
| Paket Tube |
| Serie Automotive, AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur 175°C |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gerätepaket des Lieferanten 3-LDPAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 82A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 41A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 9000 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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