Renesas Electronics America Inc NP89N06PDK-E1-AY
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- NP89N06PDK-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP89N06PDK-E1-AY Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4900
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer NP89N06PDK-E1-AY |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Renesas Electronics America Inc |
| Beschreibung P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS |
| Paket Tube |
| Serie Automotive, AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur 175°C |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-263-3 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 147W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 90A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6000 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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