Vishay Semiconductor - Diodes Division NSB8JT-E3/45
- NSB8JT-E3/45
- Vishay Semiconductor - Diodes Division
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
- Diodes - Rectifiers - Single
- NSB8JT-E3/45 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4526
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Teilenummer NSB8JT-E3/45 |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller Vishay Semiconductor - Diodes Division |
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
Paket Tube |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten TO-263AB (D²PAK) |
Diodentyp Standard |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 8A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 8 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 10 µA @ 600 V |
Kapazität@Vr,F 55pF @ 4V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600 V |
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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