ON Semiconductor NSBC114EPDP6T5G
- NSBC114EPDP6T5G
- ON Semiconductor
- TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
- Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- NSBC114EPDP6T5G Datenblatt
- SOT-963
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 21700
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NSBC114EPDP6T5G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 |
Paket -Reel® |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SOT-963 |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-963 |
Power-Max 339mW |
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V |
Frequenzübergang - |
Widerstandsbasis (R1) 10kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) 10kOhms |
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Bemerkungen
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