ON Semiconductor NTB004N10G
- NTB004N10G
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 201A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTB004N10G Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3261
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| Teilenummer NTB004N10G |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 201A TO263 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 340W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 201A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 500µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 11900 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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