ON Semiconductor NTBGS1D5N06C
- NTBGS1D5N06C
- ON Semiconductor
- POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTBGS1D5N06C Datenblatt
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2358
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Teilenummer NTBGS1D5N06C |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267 |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Gerätepaket des Lieferanten D2PAK (TO-263) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 211W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35A (Ta), 267A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55mOhm @ 64A, 12V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 318µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 78.6 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6250 pF @ 30 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V, 12V |
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