ON Semiconductor NTD4809NT4G
- NTD4809NT4G
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTD4809NT4G Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 10056
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NTD4809NT4G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten DPAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta), 52W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 11.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1456 pF @ 12 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 11.5V |
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Bemerkungen
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