NTE Electronics, Inc NTE103
- NTE103
- NTE Electronics, Inc
- T-NPN GE-AF PREAMP DR PO
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- NTE103 Datenblatt
- TO-204AA, TO-3
- Bag
-
Lead free / RoHS Compliant - 6172
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer NTE103 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Hersteller NTE Electronics, Inc |
| Beschreibung T-NPN GE-AF PREAMP DR PO |
| Paket Bag |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -65°C ~ 100°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-204AA, TO-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-204AA (TO-3) |
| Power-Max 150 mW |
| Transistortyp NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150 mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 24 V |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 200mV @ 1mA, 24mA |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 5µA (ICBO) |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 @ 12mA, 150mV |
| Frequenzübergang - |
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Bemerkungen
NTE Electronics, Inc

NTE Electronics is a high-tech enterprise dedicated to the research and development, manufacturing, and sales of electronic components.
In 1979, NTE Electronics was founded in New Jersey, USA. The company's products mainly include integrated...
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