NTE Electronics, Inc NTE2367
- NTE2367
- NTE Electronics, Inc
- T-NPN SI DIGITAL 4.7K
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- NTE2367 Datenblatt
- TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3602
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NTE2367 |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Hersteller NTE Electronics, Inc |
Beschreibung T-NPN SI DIGITAL 4.7K |
Paket -Reel® |
Serie - |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Gerätepaket des Lieferanten TO-92S |
Power-Max 300 mW |
Transistortyp NPN - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V |
Frequenzübergang 250 MHz |
Widerstandsbasis (R1) 4.7 kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms |
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Bemerkungen
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In 1979, NTE Electronics was founded in New Jersey, USA. The company's products mainly include integrated...

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